专利摘要:
一種發光二極體裝置,包括底座、設於該底座中的發光晶片及設於該底座上且覆蓋該發光晶片的透鏡,該透鏡由彈性且透明的材料製成,該透鏡在外力作用下可發生形變,以改變該透鏡的曲率。
公开号:TW201322498A
申请号:TW100144264
申请日:2011-12-01
公开日:2013-06-01
发明作者:Hou-Te Lin;Chao-Hsiung Chang
申请人:Advanced Optoelectronic Tech;
IPC主号:H01L2224-00
专利说明:
發光二極體裝置
本發明涉及半導體照明領域,尤其涉及一種具有可改變光場分佈的發光二極體裝置。
發光二極體(Light Emitting Diode, LED)作為一種新興的光源,具有高亮度、長壽命及低污染等優點,故,被廣泛應用於多種場合之中,並大有取代傳統光源的趨勢。
由於單個發光二極體為一點光源,其製成照明裝置時,通常配合一透鏡進行一次光學變換以改變其光場分佈。習知的發光二極體裝置均為根據不同的照明環境設計有不同的透鏡,每一發光二極體裝置的光場分佈固定,不能根據環境的改變而改變,故,這種發光二極體裝置的環境適應能力較差。
有鑒於此,有必要提供一種可改變光場分佈的發光二極體裝置。
一種發光二極體裝置,包括底座、設於該底座中的發光晶片及設於該底座上且覆蓋該發光晶片的透鏡,該透鏡由彈性且透明的材料製成,該透鏡在外力作用下可發生形變,以改變該透鏡的曲率。
本發明的發光二極體裝置,其透鏡由彈性且透明的材料製成,可藉由外力改變曲率,從而使所述發光二極體裝置產生不同的光場分佈,適應不同的環境,從而使該發光二極體裝置具有更好的環境適應能力。
以下將結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。
請參閱圖1,所示為本發明第一實施例中的發光二極體裝置100,該發光二極體裝置100包括一底座10、設於該底座10中的一發光晶片20及設於該底座10上且覆蓋該發光晶片20的一透鏡30。
該底座10包括一第一瓣體11及一第二瓣體12,該第一瓣體11與第二瓣體12相互分離且分別位於該發光晶片20的相對兩側,該第一瓣體11與第二瓣體12合圍一收容該發光晶片的凹槽13。該底座10的底部設有一第一電極14及一第二電極15,本實施例中,該第一電極14設於該第一瓣體11的底部且貫穿該第一瓣體11的底部,該第二電極15設於該第二瓣體12的底部且貫穿該第二瓣體12的底部,該發光二極體裝置100可藉由該第一電極14及第二電極15直接貼裝於電路板上。
該發光晶片20固定於該第一電極14上,該發光晶片20的兩電極藉由兩導線16分別與該第一電極14及第二電極15連接。
該透鏡30由彈性且透明的材料製成,如矽膠、橡膠等,該透鏡30中部的厚度大於邊緣的厚度,且厚度自中部向邊緣逐漸減小,該透鏡30的邊緣可分離的固定於該第一瓣體11及第二瓣體12上。該透鏡30位於該發光晶片20的正上方,用於改變該發光晶片20的光場分佈。
當該發光二極體裝置100所處環境發生改變而要求該發光二極體裝置100的光場分佈亦進行變化時,由於該透鏡30由彈性且透明的材料製成,故可使該透鏡30在外力作用下進行拉伸或擠壓,使該透鏡30正對該發光晶片20的部分的曲率發生變化,直到該發光二極體裝置100的光場分佈符合要求為止,再將該透鏡30固定於該第一瓣體11及第二瓣體12上定形。例如,圖2示出了該透鏡30被拉伸後該發光二極體裝置100的結構圖,此時,該透鏡30的中部的厚度小於邊緣的厚度,且厚度自中部向邊緣逐漸增大,相對於圖1中的透鏡30,圖2中的透鏡30曲率變小,由此使發光二極體裝置100的光場趨於寬廣及柔和。
圖3示出了本發明第二實施例中的發光二極體裝置100a,其與第一實施例中的發光二極體裝置100相似,不同之處在於該發光二極體裝置100a的底座10a的第一瓣體11a與第二瓣體12a相互間隔,其透鏡30a的邊緣固定於該第一瓣體11a與第二瓣體12a上,訪第一瓣體11a與第二瓣體12a可在外力作用下相互靠近或相互遠離,從而帶動該透鏡30a進行拉伸或擠壓,當該第一瓣體11a與第二瓣體12a相互靠近時,透鏡30a中部的厚度變大,透鏡曲率變大。當該第一瓣體11a與第二瓣體12a相互遠離時,該透鏡30a中部的厚度變小,透鏡30a曲率變小。如此,使該發光二極體裝置100a產生不同的光場分佈以適應不同的環境。
圖4示出了本發明第三實施例中的發光二極體裝置100b,其與第二實施例中的發光二極體裝置100a相似,不同之處在於該發光二極體裝置100b的底座10b的第一瓣體11b朝向其第二瓣體12b的一側設有一向下的第一台階111,該第二瓣體12b朝向該第一瓣體11b的一側設有一向上的一第二台階121,該第一瓣體11b與第二瓣體12b相互靠近時,該第一瓣體11b的第一台階111與該第二瓣體12b的第二台階121剛好上下疊置,使該第一瓣體11b與第二瓣體12b形成相互嚙合的結構。發光二極體裝置100b的第一電極14b與第二電極15b均設於該第一瓣體11b上,該第一電極14b與第二電極15b相互間隔且均自該第一瓣體11b朝向該透鏡30的上表面延伸經過該第一瓣體11b的側面延伸至該第一瓣體11b背向該透鏡30的下表面。該發光晶片20b為一垂直型晶片,該發光晶片20b的其中一側的電極藉由一導線16連接至該第一電極14b上,該發光晶片20b上相對另一側的電極藉由導電材料黏接於該第二電極15b上。
請參照圖5,當該第一瓣體11b與第二瓣體12b相互遠離時,該第一瓣體11b的第一台階111與該第二瓣體12b的第二台階121仍可部分上下疊置,如此可防止異物從該第一瓣體11b與第二瓣體12b之間的間隔進入該發光二極體裝置100b的內部。本實例中的發光二極體裝置100b,與第二實施列中的發光二極體裝置100b一樣,第一瓣體11b與第二瓣體12b可在外力作用下相互靠近或相互遠離,從而帶動該透鏡30進行拉伸或擠壓,使該發光二極體裝置100b產生不同的光場分佈以適應不同的環境。
綜上,本發明中的發光二極體裝置100、100a、100b,藉由外力作使其透鏡30、30b變形以改變曲率,從而使所述發光二極體裝置100、100a、100b產生不同的光場分佈,適應不同的環境,相對於習知技術中的發光二極體裝置,本發明中的發光二極體裝置100、100a、100b具有更好的環境適應能力。
另外,本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化,當然,該等依據本發明精神所做之變化,都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。
100,100a,100b...發光二極體裝置
10,10a,10b...底座
11,11a,11b...第一瓣體
111...第一台階
12,12a,12b...第二瓣體
121...第二台階
13...凹槽
14,14b...第一電極
15,15b...第二電極
16...導線
20,20b...發光晶片
30,30a...透鏡
圖1為本發明第一實施例的發光二極體裝置的結構示意圖。
圖2為圖1所示發光二極體裝置處於第二狀態時的結構示意圖。
圖3為本發明第二實施例的發光二極體裝置處於第二狀態時的結構示意圖。
圖4為本發明第三實施例的發光二極體裝置的結構示意圖。
圖5為圖4所示發光二極體裝置處於第二狀態時的結構示意圖。
100...發光二極體裝置
10...底座
11...第一瓣體
12...第二瓣體
13...凹槽
14...第一電極
15...第二電極
16...導線
20...發光晶片
30...透鏡
权利要求:
Claims (10)
[1] 一種發光二極體裝置,包括底座、設於該底座中的發光晶片及設於該底座上且覆蓋該發光晶片的透鏡,其改進在於:該透鏡由彈性且透明的材料製成,該透鏡在外力作用下可發生形變,以改變該透鏡的曲率。
[2] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置,其中該透鏡由矽膠或橡膠製成。
[3] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置,其中當該透鏡被壓縮時,該透鏡的中部的厚度大於邊緣的厚度,當該透鏡被拉伸時,該透鏡的中部的厚度小於邊緣的厚度。
[4] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置,其中該透鏡可分離地固定於該底座上,該透鏡被拉伸或壓縮後固定於該底座上定形。
[5] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體裝置,其中該底座包括相互分離的第一瓣體及第二瓣體,該第一瓣體及第二瓣體分別位於該發光晶片的相對兩側,該透鏡的邊緣固定於該第一瓣體及第二瓣體上,該第一瓣體與第二瓣體可在外力相互靠近或遠離以帶動透鏡被拉伸或壓縮。
[6] 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體裝置,還包括一第一電極及一第二電極,該第一電極固定於該第一瓣體上,該第二電極固定於該第二瓣體上,該晶片的兩極分別與該第一電極及第二電極連接。
[7] 如申請專利範圍第6項所述的發光二極體裝置,其中該第一電極貫穿該第一瓣體,該第二電極貫穿該第二瓣體,該發光晶片固定於第一電極上。
[8] 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體裝置,還包括一第一電極及一第二電極,第一電極與第二電極均設於該第一瓣體上,該第一電極與第二電極相互間隔且均自該第一瓣體朝向該透鏡的上表面延伸經過該第一瓣體的側面延伸至該第一瓣體背向該透鏡的下表面。
[9] 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體裝置,其中該發光晶片為一垂直型晶片,該發光晶片其中一側的電極藉由一導線連接至該第一電極上,該發光晶片上相對另一側的電極藉由導電材料黏接於該第二電極上。
[10] 如申請專利範圍第5項所述的發光二極體裝置,其中第一瓣體朝向第二瓣體的一側設有一向下的第一台階,該第二瓣體朝向該第一瓣體的一側設有一向上的第二台階,該第一瓣體的第一台階與該第二瓣體的第二台階至少有一部分上下疊置。
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同族专利:
公开号 | 公开日
TWI463704B|2014-12-01|
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引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
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